Substrat Aluminium Nitrida

Mullitesubstrat(3 a1203.2Si02): merupakan salah satu fasa kristal paling stabil dalam sistem biner A1203-Si02, meskipun kekuatan mekanik dan konduktivitas termalnya rendah dibandingkan A1203, namun konstanta dielektriknya Rendah, sehingga diharapkan dapat lebih meningkatkan sinyal kecepatan transmisi. Koefisien muai panasnya juga rendah sehingga dapat menurunkan tegangan termal LSI, dan selisih koefisien muai panas bahan konduktor Mo, W kecil, sehingga mempunyai tegangan antar konduktor yang rendah selama bersepeda.

Aluminiumsubstrat nitrida:
A. Bahan baku: AIN merupakan mineral buatan yang tidak alami tetapi merupakan mineral buatan pada tahun 1862, pertama kali disintesis oleh Genther dkk. Representasi representasi serbuk Aln adalah dengan metode reduksi nitrida dan metode nitridasi langsung. Yang pertama bereaksi dengan reduksi karbon dengan kemurnian tinggi di A1203, dan kemudian bereaksi dengan nitrogen, dan yang terakhir adalah Nitridasi langsung. ;

B. Metode pembuatan: A1203substratmanufaktur dapat digunakan dalam pembuatan substrat AIN, dimana metode laminasi organik digunakan secara maksimal, yaitu bubuk bahan baku AIN, perekat organik, dan pelarut, campuran surfaktan. Bubur keramik, lewati, laminasi, tekan panas, degreasing, terbakar

C. Karakteristik substrat AIN: AIN lebih dari 10 kali lipat, dan CTE cocok dengan wafer silikon. Bahan AIN relatif berhubungan dengan A1203, resistansi insulasi, insulasi, dan konstanta dielektriknya lebih rendah. Fitur-fitur ini sangat jarang untuk aplikasi substrat pengemasan;

D. Aplikasi: Digunakan untuk Modul Penguat Daya Sabuk Frekuensi VHF (Frekuensi Ultra Tinggi), Perangkat Daya Tinggi, dan Substrat Dioda Laser.