Pelat silikon nitrida dan metode pembuatannya

Nama paten:Substrat Silikon Nitridadan metode pembuatannya, serta metode produksi papan sirkuit silikon nitrida dan modul semikonduktor menggunakan pelat silikon nitrida
Bidang teknis:
Penemuan ini melibatkanSubstrat Silikon Nitridadan metode pembuatannya. Selain itu, penemuan ini melibatkan penggunaan substrat rangkaian silikon nitrida dan modul semikonduktor dengan menggunakan hal di atasSubstrat Silikon Nitrida.
Teknik latar belakang:
Dalam beberapa tahun terakhir, di bidang dan bidang kendaraan listrik lainnya, modul semikonduktor daya (Power Semiconductor Module) (IGBT, power MOSFET, dll) yang dapat bekerja dengan tegangan tinggi dan arus besar. Untuk substrat yang digunakan dalam modul semikonduktor daya, satu permukaan substrat keramik isolasi dapat digunakan untuk digabungkan dengan papan sirkuit logam, dan substrat sirkuit keramik dengan pelat radiator logam pada permukaan lain dapat digunakan. Selain itu, elemen semikonduktor pada papan sirkuit logam dan sebagainya. Kombinasi substrat keramik isolasi yang disebutkan di atas dengan papan sirkuit logam dan heat sink logam, seperti yang disebut tembaga berbasis tembaga berbasis tembaga berbasis tembaga berbasis tembaga berbasis tembaga berbasis tembaga berbasis tembaga terhubung langsung ke hukum. Untuk modul semikonduktor daya seperti itu, pembuangan panas lebih besar dengan mengalir melalui arus yang besar. Namun, karena substrat keramik isolasi yang disebutkan di atas memiliki konduktivitas termal yang rendah, hal ini dapat menjadi faktor yang menghambat pembuangan panas komponen semikonduktor. Selain itu, timbulnya tegangan termal disebabkan oleh laju ekspansi termal antara substrat keramik isolasi dan papan sirkuit logam serta pelat heat sink logam. Akibatnya, substrat keramik isolasi retak dan rusak, atau papan sirkuit logam atau papan pembuangan panas logam terlepas dari substrat keramik isolasi.