Berikut ini adalah pengenalan kualitas tinggiSubstrat Keramik Silikon Nitrida, berharap dapat membantu Anda lebih memahaminya. Selamat datang pelanggan baru dan lama untuk terus bekerja sama dengan kami guna menciptakan masa depan yang lebih baik! Substrat keramik silikon nitrida adalah jenis substrat yang terbuat dari silikon nitrida, bahan keramik berperforma tinggi. Substrat ini digunakan dalam berbagai aplikasi elektronik dan teknik yang memerlukan sifat seperti konduktivitas termal yang tinggi, kekuatan mekanik, dan isolasi listrik.
Substrat keramik silikon nitrida dikenal karena stabilitas termal yang sangat baik dan ketahanan terhadap guncangan termal, menjadikannya ideal untuk digunakan di lingkungan bersuhu tinggi. Mereka sering digunakan sebagai bahan isolasi dan pendukung pada perangkat elektronik, modul semikonduktor daya, dan aplikasi lain yang memerlukan pembuangan panas yang efisien.
Substrat ini tersedia dalam berbagai bentuk dan ukuran untuk disesuaikan dengan aplikasi berbeda dan dapat disesuaikan untuk memenuhi kebutuhan spesifik. Penggunaannya dapat meningkatkan keandalan produk, meningkatkan kinerja, dan masa pakai yang lebih lama, menjadikannya komponen yang berharga di berbagai industri.
Substrat Keramik Silikon Nitrida Torbo®
Barang: Substrat silikon nitrida
Bahan:Si3N4
Warna: Abu-abu
Ketebalan: 0,25-1mm
Pemrosesan permukaan: Dipoles ganda
Kepadatan massal: 3,24g/㎤
Kekasaran permukaan Ra: 0,4μm
Kekuatan lentur: (metode 3 titik):600-1000Mpa
Modulus elastisitas: 310Gpa
Ketangguhan patah (metode IF):6,5 MPa・√m
Konduktivitas termal: 25°C 15-85 W/(m・K)
Faktor kerugian dielektrik:0,4
Resistivitas volume: 25°C >1014 Ω・㎝
Kekuatan kerusakan: DC >15㎸/㎜
Torbo® Ssubstrat keramik ilicon nitridadigunakan dalam bidang elektronik seperti modul semikonduktor daya, inverter dan konverter, menggantikan bahan isolasi lainnya untuk meningkatkan hasil produksi dan mengurangi ukuran dan berat.
Kekuatannya yang sangat tinggi juga menjadikannya bahan utama yang meningkatkan masa pakai dan keandalan produk yang digunakan.
Pembuangan panas dua sisi pada kartu daya (semikonduktor daya), unit kontrol daya untuk mobil