Substrat elektronik daya

Substrat elektronik daya

Substrat elektronika daya adalah jenis bahan yang digunakan dalam konstruksi komponen elektronika daya seperti modul daya, inverter, dan konverter. Mereka biasanya terbuat dari keramik atau bahan bersuhu tinggi lainnya yang memberikan konduktivitas termal yang kuat, tinggi, dan insulasi listrik yang andal. Substrat ini dirancang untuk memberikan dukungan dan manajemen termal yang diperlukan untuk komponen elektronik daya, sehingga dapat beroperasi secara efisien dan andal.

Substrat elektronika daya digunakan dalam berbagai aplikasi, seperti penggerak motor, sistem energi terbarukan, kendaraan listrik, dan aplikasi elektronika daya lainnya. Mereka dirancang khusus untuk menangani aplikasi berdaya tinggi di mana manajemen termal sangat penting untuk pengoperasian yang efisien. Misalnya, keramik suhu tinggi seperti aluminium nitrida (AlN) atau silikon karbida dapat menghantarkan panas hingga 10 kali lebih baik dibandingkan logam seperti tembaga, sehingga menjadikannya bahan yang sangat baik untuk aplikasi substrat elektronika daya.

Selain sifat konduktivitas termal dan suhu tinggi, substrat elektronika daya menawarkan isolasi listrik yang sangat baik, yang penting dalam elektronika daya. Bahan isolasi listrik mencegah korsleting dan melindungi dari kerusakan akibat tegangan tinggi, memastikan komponen elektronika daya aman dan andal.

Secara keseluruhan, substrat elektronika daya merupakan bahan penting untuk konstruksi komponen elektronika daya. Sifat konduktivitas suhu dan termalnya yang tinggi, dikombinasikan dengan insulasi listrik yang sangat baik, menjadikannya pilihan ideal untuk aplikasi elektronika daya yang memerlukan keandalan tinggi dan manajemen termal yang efisien.

Substrat elektronik Torbo® Power

Item: Substrat elektronik daya

Bahan:Si3N4

Warna: Abu-abu

Ketebalan: 0,25-1mm

Pemrosesan permukaan: Dipoles ganda

Kepadatan massal: 3,24g/㎤

Kekasaran permukaan Ra: 0,4μm

Kekuatan lentur: (metode 3 titik):600-1000Mpa

Modulus elastisitas: 310Gpa

Ketangguhan patah (metode IF):6,5 MPa･√m

Konduktivitas termal: 25°C 15-85 W/(m･K)

Faktor kerugian dielektrik:0,4

Resistivitas volume: 25°C >1014 Ω･㎝

Kekuatan kerusakan: DC >15㎸/㎜