Substrat Keramik Silikon Nitrida Si3n4

Substrat Keramik Silikon Nitrida Si3n4

Substrat Keramik Silikon Nitrida Si3n4 adalah jenis material canggih yang digunakan dalam berbagai aplikasi, mulai dari elektronik hingga industri luar angkasa. Keramik ini memiliki kombinasi sifat unik yang menjadikannya salah satu keramik paling serbaguna dan tahan lama. Silikon nitrida adalah bahan yang sangat keras dan kuat, sehingga sangat tahan terhadap keausan. Ia memiliki stabilitas termal yang sangat baik, yang berarti dapat menahan suhu tinggi tanpa menurunkan atau kehilangan sifat-sifatnya. Selain itu, ini merupakan isolasi listrik yang tinggi, memberikan insulasi dan perlindungan yang sangat baik pada komponen listrik.

Substrat keramik silikon nitrida digunakan dalam berbagai komponen elektronik, seperti semikonduktor daya dan dioda pemancar cahaya (LED), karena konduktivitas termal dan sifat pembuangan panasnya yang sangat baik. Ia juga digunakan dalam aplikasi mekanis, seperti bantalan berkecepatan tinggi dan alat pemotong, karena kekuatan dan ketangguhannya yang luar biasa. Industri dirgantara menggunakan substrat keramik silikon nitrida dalam aplikasi suhu tinggi, seperti bagian turbin, karena ketahanan guncangan termal dan ketahanan oksidasi yang sangat baik.

Secara keseluruhan, substrat keramik silikon nitrida adalah bahan luar biasa dengan beragam aplikasi. Daya tahannya, stabilitas termal, isolasi listrik, dan kekuatan mekaniknya menjadikannya pilihan populer di banyak industri berbeda.

Anda dipersilakan untuk datang ke pabrik kami untuk membeli substrat keramik silikon nitrida terlaris, harga murah, dan berkualitas tinggi. Torbo berharap dapat bekerja sama dengan Anda.

Substrat Keramik Torbo®Silicon Nitride Si3n4

Item: Substrat Keramik Silikon Nitrida Si3n4

Bahan:Si3N4

Warna: Abu-abu

Ketebalan: 0,25-1mm

Pemrosesan permukaan: Dipoles ganda

Kepadatan massal: 3,24g/㎤

Kekasaran permukaan Ra: 0,4μm

Kekuatan lentur: (metode 3 titik):600-1000Mpa

Modulus elastisitas: 310Gpa

Ketangguhan patah (metode IF):6,5 MPa･√m

Konduktivitas termal: 25°C 15-85 W/(m･K)

Faktor kerugian dielektrik:0,4

Resistivitas volume: 25°C >1014 Ω･㎝

Kekuatan kerusakan: DC >15㎸/㎜